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股份（f）二碲化钼的传输特性曲线。飞行时间二次离子质谱证实了氢氧化物离子贴附在二碲化钼单层的表面，拟合能源从而可以抑制晶体沿着[001]晶轴方向的生长并促使二碲化钼连续生长。

图三、作设二碲化钼单层的形貌表征（a）各类样品的照片：1cm×1cm的蓝宝石衬底、生长了二碲化钼单层的蓝宝石、被转移的二碲化钼单层覆盖的SiO2/Si衬底。【图文解读】图一、立氢由固定化前驱体颗粒驱动的二碲化钼单层生长示意图（a）在衬底上旋涂溶液以实现液相前驱体液滴的均匀分布。产业（d）生长在蓝宝石基质上的厘米级二碲化钼单层。

发展（c）具有刮痕的二碲化钼单层的光学图像。作者认为，基金这一研究详细阐释了固定化前驱体颗粒用以生长大面积碲化钼单层的微观过程，为二维材料的生长制备提供了新的思考。

图二、濮耐在蓝宝石上生长厘米级二碲化钼单层（a）不同前驱体溶液中生长的二碲化钼的单层覆盖率。

进一步地，股份作者还改造了无刻蚀转移方法可将二碲化钼单层转移到任一衬底上，并通过电学表征证实了二碲化钼单层具有典型的半金属特性。此外，拟合能源减少的界面空隙和CBH残留物稳定了PSCs，提高了高效钙钛矿组件的产量。

作设这些空隙的形成与钙钛矿膜底部附近的非挥发性二甲基亚砜（DMSO）有关。(B)DMSO、立氢CBH和加入DMSO和CBH的MA0.6FA0.4PbI3薄膜的FTIR谱图。

产业插图是PSC在1.04V偏置电压下稳定功率输出600s。发展(E)用485nm激光从薄玻璃一侧激发的(左)对照和(右)钙钛矿薄膜的PL图。